Kühl- und Heizsystem TES für das Wafer-Kühlverfahren für integrierte Schaltkreise

Integrierte Schaltkreisprodukte werden seit mehr als 50 Jahren entwickelt und sind die fortschrittlichste High-Tech-Industrie. Integrierter Schaltkreis oder Chip/Chip. Der gesamte Chipherstellungsprozess umfasst Chipdesign, Waferherstellung, Gehäuseherstellung und Tests. Der Wafer-Herstellungsprozess ist besonders kompliziert.

Der Rohstoff des Chips ist Silizium, und das Silizium wird durch Quarzsand verfeinert. Der Wafer wird mit Silizium (99.999 %) gereinigt und anschließend wird dieses reine Silizium zu Siliziumbarren verarbeitet, die zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet werden. Das Material eines Quarzhalbleiters wird in Scheiben geschnitten in Wafer, die speziell für die Chipherstellung benötigt werden. Je dünner der Wafer ist, desto geringer sind die Produktionskosten, aber desto höher sind auch die Prozessanforderungen.

Nach der Verarbeitung des Wafers muss ein wichtiger Prozessindex erreicht werden, der darin besteht, dass die Partikelgröße den Standard nicht überschreiten darf. Es ist notwendig, die Sauberkeit der gesamten Gerätestruktur streng zu kontrollieren und mechanische Reibung zu minimieren. Um Reibung beim Wafertransfer zu verhindern, muss einerseits sichergestellt werden, dass die Übertragungsbedingungen wie Wafer-Kühltemperatur und Kühlluftstrom den normalen Arbeitsbereich des Holens erreichen.

-Der allgemeine Wafertransfer kann unter Bedingungen durchgeführt werden, bei denen die Wafertemperatur <50 °C beträgt°C. Nach der Verarbeitung des Wafers ist beim Absenken des Bootes vom Ofenrohr in den Wafer-Transportbereich auch ein Wafer-Kühlschritt erforderlich, um die Verformung des Wafers zu reduzieren und die Transferbedingungen zu erfüllen.

Bestehende Wafer-Kühlmethoden stellen im Allgemeinen den Stickstoffgasfluss beim Absenken des Bootes entsprechend den LPCVD- und Niedertemperatur-Glühprozessbedingungen ein, die einen hohen Sauerstoffgehalt im Wafer-Tragebereich erfordern. Insbesondere wird die Stickstoffströmungsrate in den Wafer-Transportbereich auf das Maximum eingestellt und die Windgeschwindigkeit des Kühlgebläses auf ein hohes Niveau eingestellt. Um sicherzustellen, dass der Sauerstoffgehalt den Standard erreicht, wird der Wafer kontinuierlich gekühlt, bis er das Detektionsgerät passiert. Es wurde festgestellt, dass der Abkühlzustand des Wafers den Transferzustand des Roboters erreichte. Der Nachteil dieser Kühlmethode besteht darin, dass einerseits während des Kühlvorgangs, wenn der Sauerstoffgehalt den Regelsollwert erreicht, der eingestellte Stickstoffdurchsatz und die Kühlluftgeschwindigkeit nicht verändert werden, was zu einem übermäßigen Stickstoffverbrauch, insbesondere für die Oxidation, führt Prozess, der sich auf den Wafer auswirkt. Der Bedarf an Sauerstoffgehalt im tragenden Bereich ist nicht hoch, was den Stickstoffverbrauch erhöht. Andererseits wurden die Kühlbedingungen nicht angemessen an die Eigenschaften verschiedener Parameter angepasst, die die Kühlzeit beeinflussen. Ohne Kontrolle ist die tatsächliche Kühleffizienz gering, was sich negativ auf den Waferdurchsatz auswirkt.

Durch eine effektive Steuerung der Waferkühlung während des Absenkvorgangs des Bootes kann die Temperatur des Wafers schnell und effektiv gesenkt und die Abkühlzeit verkürzt werden, wodurch die Waferproduktionskapazität erhöht und Stickstoffressourcen als Kühlmedium erheblich eingespart werden.

                                               Kühl-Heizsystem der TES-Serie

LNEYA steht für international fortschrittliche Technologie zur Flüssigkeitstemperaturregelung. Es erforscht und erforscht aktiv Komponententestsysteme. Es wird hauptsächlich zur Simulation von Temperaturtests bei Halbleitertests verwendet. Es verfügt über eine breite Temperaturausrichtung und einen hohen Temperaturanstieg und -abfall, wodurch das Problem der Temperaturkontrollverzögerung in elektronischen Bauteilen gelöst wird.

Dieses Produkt eignet sich zur präzisen Temperaturregelung elektronischer Bauteile. Temperaturregelbereich: -85° C~250°C; Leistungsbereich: 2.5 kW ~ 25 kW; Genauigkeit der Temperaturregelung: ± 0.3°C. Ultrahochtemperatur-Kühltechnologie kann direkt ab 300 kühlen°C. Bei der Herstellung elektronischer Halbleiterkomponenten für den Einsatz in rauen Umgebungen umfassen die Montage von IC-Gehäusen sowie die Entwicklungs- und Produktionstestphasen elektronische thermische Tests und andere Umwelttestsimulationen bei Temperaturen (-85 °C).°C bis + 250°C). Sobald diese Halbleiterbauelemente und Elektronikgeräte in die Praxis umgesetzt werden, können sie extremen Umweltbedingungen ausgesetzt werden, um strenge Militär- und Telekommunikationszuverlässigkeitsstandards zu erfüllen.

Leiten Sie die Geräte der TES-Serie von LNEYA zum Chip-Testvorrichtungsstand. Das Kühl- und Heizsystem der TES-Ausrüstung läuft durch sein eigenes flüssiges Medium, versorgt den Prüfstand über die Eingangs- und Ausgangsleitungen mit der erforderlichen Temperatur und führt die Wärme des getesteten Chips zur Wiederverwertung zurück zur TES-Ausrüstung, die nicht nur über eine hohe Wiederverwendungsrate, spart aber auch Testkosten. Es löst das oben erwähnte unverzichtbare Problem des Stickstoffverbrauchs in der bestehenden Kühltechnologie und löst auch die Sicherheit und Genauigkeit der Temperaturregelung.